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对比
RS3N90MD
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TO-251
- 品牌名称REASUNOS(瑞森半导体)
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商品型号
RS3N90MD -
商品编号
RS3N90MD -
商品封装
TO-251 -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 524pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
参数完善中
梯度
售价
1+￥1.8303
10+￥1.4372
32+￥1.2687
96+￥1.0585
496+￥0.9649
800+￥0.9087
库存总量
(单位：0个)-
仓库库存数量
0
购买数量
个
起订量：1 个
