TSD18N20M
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TO-252-2
- 品牌名称Truesemi(信安)
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商品型号
TSD18N20M -
商品编号
TSD18N20M -
商品封装
TO-252-2 -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
连续漏极电流(Id) | 18A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 170mΩ@10V,9A | |
功率 | 70W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 28nC | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.24nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 71pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度
售价
1+¥1.9016
10+¥1.5184
30+¥1.3543
100+¥1.2087
500+¥1.1175
1000+¥1.0627
库存总量
(单位:175个)-
仓库库存数量
175
购买数量
个
起订量:1 个