收藏网址
|
0755-83282506
|
13728653089
|
专属客服

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

TSA20N65MR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

  • 收藏
    收藏
  • 对比
    对比

TSA20N65MR

  • TO-3P-3

  • 品牌名称Truesemi(信安)
  • 商品型号

    TSA20N65MR
  • 商品编号

    TSA20N65MR
  • 商品封装

    TO-3P-3
  • 分类

    场效应管(MOSFET)

  • 商品参数

属性 参数值
商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id) 20A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 480mΩ@10V,10A
功率 192W
阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs) 57nC@10V
输入电容(Ciss@Vds) 5.15nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds) 24pF@25V
工作温度 -55℃~+150℃

数据手册PDF

梯度
售价
1+¥7.76
10+¥6.6
30+¥5.39
90+¥4.67
450+¥4.36
900+¥4.21

库存总量

(单位:249个)
  • 仓库库存数量

    249

购买数量

起订量:1 个
总价金额: 7.76