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HP4N60(BEB)
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HP4N60(BEB)

  • TO-220

  • 品牌名称HL(豪林)
  • 商品型号

    HP4N60(BEB)
  • 商品编号

    HP4N60(BEB)
  • 商品封装

    TO-220
  • 分类

    场效应管(MOSFET)

  • 商品参数

属性 参数值
商品目录 场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id) 4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@10V,2A
功率(Pd) 100W
阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs) 20nC
输入电容(Ciss@Vds) 780pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds) 14pF
工作温度 -55℃~+150℃
暂无内容图标

参数完善中

数据手册PDF

梯度
售价
1+¥1.448
10+¥1.136
30+¥1.019
100+¥0.873
500+¥0.808
1000+¥0.769

库存总量

(单位:0个)
  • 仓库库存数量

    0

购买数量

起订量:1 个
总价金额: 1.448

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