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对比
HB4N60(BEB)
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TO-262
- 品牌名称HL(豪林)
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商品型号
HB4N60(BEB) -
商品编号
HB4N60(BEB) -
商品封装
TO-262 -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@10V,2A | |
| 功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 20nC@480V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 780pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度
售价
1+￥2.0049
10+￥1.5729
30+￥1.4109
100+￥1.2087
500+￥1.1187
1000+￥1.0647
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